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据相关渠道披露，三星电子已着手试产采用其2纳米全环绕栅极工艺的Exynos 2600原型芯片。公司计划于今年底前完成风险试产阶段，并在明年初开启正式投片，目标是为预计2026年2月上市的Galaxy S26系列旗舰手机提前备足芯片产能。
然而，产能爬坡与良率提升仍是三星当前面临的核心挑战。2025年第一季度数据显示，三星Foundry在2nm及3nm制程节点的良率均徘徊在30%左右。内部已将短期目标设定为50%，但要支撑Exynos 2600的大规模量产，良率必须突破70%的关键门槛。
低良率带来的成本压力，正促使Google、高通等无晶圆厂设计公司更倾向将高端芯片委托台积电代工。市场格局变化明显：三星Foundry的市场份额已从2024年第三季度的9.1%滑落至第四季度的8.1%。在此背景下，Exynos 2600成为三星Foundry高端订单中硕果仅存的旗舰项目，其良率表现将直接左右三星在尖端芯片代工市场的竞争力。
需要说明的是，制程节点名称已不再严格对应晶体管物理尺寸，而是代表技术迭代的世代标识。数值越小，意味着芯片单位面积内集成的晶体管密度越高，从而能实现更强的性能与更低的能耗。
相较于传统的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，GAA结构通过环绕式栅极设计，显著提升了对沟道电流的控制能力。这不仅有效抑制了漏电流，还优化了晶体管的开关速度与能效表现，成为三星2nm工艺的核心技术突破点。